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SSU1N50A芯片片内性能介绍

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SSU1N50A单片机主要特性:
·Avalanche  Rugged  Technology
·Rugged  Gate  Oxide  Technology
·Lower  Input  Capacitance
·Improved  Gate  Charge
·Extended  Safe  Operating  Area
·Lower  Leakage  Current  :  10    A (Max.)  @  VDS = 500V
·Lower  RDS(ON)
: 4.046  (Typ.)